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Tel:187902821222024年1月19日 碳化硅功率器件封装模块制造项目:根据“行家说三代半” 此前报道,该项目位于杭州市萧山区,由大江半导体投资建设,总投资为38亿元,总建筑面积
查看更多2024年1月10日 文件进一步透露,该碳化硅模块项目位于江苏省南通市如泉市,建设周期为2021年5月至2023年5月,总投资10.2亿元,新建厂房及各类建筑物约50282.5平方米,将
查看更多2022年12月15日 长晶炉基本实现国产替代. 事实上,碳化硅衬底制备的关键环节在于长晶工艺,由于碳化硅需要在高温(>2,200℃)、真空环境中生长,对温场稳定性的要求高,
查看更多2021年7月21日 碳化硅是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的核心材料,尤其是在航天、国防等领域有着不可替代的作用。 据中金企信国际咨询
查看更多2023年11月1日 其中先进制造业包含一个碳化硅项目。 根据网络消息显示,“大功率电力半导体器件及新型功率器件产业化项目”一期 建设单位为西安派瑞功率半导体变流技术股份
查看更多2023年11月20日 集芯先进碳化硅项目首批设备进场. 来源:全球半导体观察整理 2023-11-20 09:13:27. 11月16日,江苏集芯先进材料有限公司(以下简称“集芯先进”)一期年产15万片
查看更多5 天之前 南京大学科技成果推介 第一百二十四篇大尺寸碳化硅激光切片设备与技术所属领域新材料(第三代半导体材料加工设备)项目介绍1. 痛点问题SiC不仅是关系国防安全的的
查看更多2023年11月10日 正式启动碳化硅衬底扩产项目,产能快速爬坡:2023 年11 月4 日,晶盛机电举行“年产25 万片6 英寸、5 万片8 英寸碳化硅衬底片项目”签约暨启动仪式 ...
查看更多2023年11月12日 综合来看,国内碳化硅关键设备产业已经逐步发力,大部分设备类型都已有国产替代方案,在碳化硅产业爆发的情况下,未来碳化硅设备市场也将不断增大,预计此轮利好将持续2-3年,在此期间碳化硅设备需求将持续增长,将为国内设备厂商带来巨大的发展
查看更多2024年2月21日 除了重庆发布碳化硅重大项目外,前不久,江苏、浙江、河南三省共有13个SiC项目入选2024年重大项目清单(.点这里. );最近,山西、福建、上海及广州等多地也开始陆续公布新一年的重大项目清单,合计披露 6个 碳化硅相关项目,涉及企业包括 天岳先进 、积塔半导体、烁科 等。
查看更多5 天之前 据介绍,苏州国微纳半导体设备有限公司主要从事第三代半导体氮化镓及碳化硅外延设备的研发、生产和销售,公司通过技术创新使同一设备平台可满足氮化镓与碳化硅两种工艺,研发装备涉及6吋及8吋,致力于完成第三代半导体核心设备的国产化替代。. 此次 ...
查看更多2024年1月6日 1月4日,在山西转型综改示范区中国电科(山西)碳化硅材料产业基地(二期)项目建设现场,1.6万平方米的厂房高高矗立,近200名建设者克服严寒,坚守一线,正在进行消防管道、机电安装施工和保温材料安装等,为月底设备进场全力冲刺。
查看更多2024年2月18日 碳化硅的切磨抛既直接关系到衬底加工的效率和产品良率,又能间接降低国产厂商的生产成本,进而对碳化硅的市场推广产生积极影响。从技术路线上来说,国内外切磨抛环节的差距不大,但在设备的精度和稳定性上,国产设备仍需持续发力,以进一步提高市场
查看更多2023年12月18日 2022年7月,超芯星生产的“6英寸碳化硅衬底”打破国际垄断,顺利进入美国一流器件厂商。2022年9月超芯星正式签约投资的“碳化硅衬底关键技术研发及产业化项目”,该项目落户南京江北新区。超芯星在其细分领域中的亮眼表现,一直吸引着资本市场的关
查看更多2023年2月1日 碳化硅、氮化镓材料的饱和电子漂移速率分别是硅的2.0、2.5倍,因 此碳化硅、氮化镓器件的工作频率大于传统的硅器件。然而,氮化镓材料存在耐热性能较差的缺点,而碳化硅的耐热性和导热性都较好,可以弥补氮化镓器件耐热性较
查看更多2023年11月17日 集微网消息,11月16日,江苏集芯先进材料有限公司(以下简称“集芯先进”)一期年产15万片碳化硅衬底片制造基地搬入首批生产设备。 10月14日,在2023中国徐州第二十六届投资洽谈会综合投资推介会上,徐州高新区共签约5个项目,其中包括集芯先进材料
查看更多2023年11月19日 1.AI大面积催化HBM需求,国产产业链“静水流深”. 2.一期年产15万片!. 集芯先进碳化硅项目首批设备进场. 3.投资11.8亿元!. 年产1.5亿颗高性能MEMS传感器项目落户浙江金华. 4.重庆发布传感器及仪器仪表产业集群高质量发展行动计划. 1.AI大面积催化HBM需
查看更多2024年1月5日 项目名称:碳化硅/ 碳化钽等半导体涂层件项目; 建设地点:江苏省如东经济开发区牡丹江路159号 ... 运营期生产设备产生的噪声通过厂房隔声、设备减振等降噪措施后,各厂界噪声均能够满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)中3 ...
查看更多2022年1月19日 目前,我国宣布投资的碳化硅项目超百个,形成了产业过热的表象。 然而经过对碳化硅项目逐一梳理及动态跟踪,我们发现实际情况为:项目签约多动工少,实际投资额远低于宣布投资额,研发多量产少,
查看更多2024年2月18日 半导体碳化硅 (SiC) 关键设备和材料技术进展的详解;. 从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。. 一、SiC 单晶生长设备. SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,
查看更多2023年10月27日 二、行业现状及市场空间 1、全球碳化硅器件市场格局由海外巨头主导 海外企业由于占据先发优势,在技术进展与产能规模上具备一定垄断地位。根据数据,市场份额由海外巨头意法半导体、Wolfspeed、罗姆、英飞凌、三菱电机、安森美等厂商垄断,其中最大的碳化硅器件商为意法半导体,是特斯拉 ...
查看更多2023年11月1日 山西烁科:碳化硅设备进场,预计3月试产. 1月4日,据“山西转型综改示范区”公众号消息,中国电科(山西)碳化硅材料产业基地(二期)项目已具备设备进厂条件,预计3月可投入试生产,投产后产值可达30万片SiC衬底。. 该项目投资5亿元,主要建设包括单
查看更多2024年1月17日 浅析国产碳化硅外延炉设备. 石大小生. . 北京北方华创微电子装备有限公司 销售. . 目录. 受益于碳化硅下游市场需求逐步放大,国内多个碳化硅外延项目发布了扩产和新建开工的计划:. 一代工艺一代设备,外延生长在SiC器件制造成本中占比超20%,SiC外延炉
查看更多2023年11月5日 产能端:在宁夏银川,公司计划建设年产40 万片6 英寸以上导电+绝缘型碳化硅衬底产能;在浙江上虞,公司25 万片6 寸+5 万片8 寸碳化硅衬底项目已启动。设备端:公司发布 6 英寸双片式碳化硅外延设备,8 英寸设备成功研发、引领行业加速进入8 英寸时
查看更多2023年11月9日 ③碳化硅衬底:启动25万片6寸、5万片8寸衬底片扩产项目。 盈利预测与投资评级:光伏设备是晶盛机电成长的第一曲线,第二曲线是光伏耗材和半导体耗材的放量,第三曲线是半导体设备和碳化硅设备的完全放量。
查看更多2023年11月9日 正式启动碳化硅衬底扩产项目,产能快速爬坡:2023年11月4日,晶盛机 25 万片6英寸、5 8英寸碳化硅衬底片项目”签约暨启 动仪式,项目建设期2年,项目总投资21.2亿元,其中固定资产投资19.88 亿元。公司自2017年开始碳化硅晶体生长设备和工艺的研发
查看更多2022年3月2日 2020 年 8 月 17,公司碳化硅衬底产业化基地建设项目正式开工,总投资约 9.5 亿元 人民币,总建筑面积 5.5 万平方米,将新建一条 400 台/套碳化硅单晶生长炉及其配 套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线,计划于 2022 年年初完工投产,建成后 可年产
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